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MOCVD设备泄漏检测方法

  金属有机化学气相沉积是在气相外延(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延技术。MOCVD使用、元素的有机化合物和V、VI元素的氢化物作为晶体生长源材料。通过热分解反应在衬底上进行气相外延生长各种-族、-族化合物半导体及其多组分固溶体薄层单晶材料。通常,MOCVD系统中的晶体生长在常压或低压(10-100托)下的冷壁应时(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为500-1200,石墨基底(衬底)通过直流加热


  MOCVD设备需要检漏:因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、剧毒物质,需要生长多组分、大面积、薄层、超薄层的异质材料。因此,在MOCVD系统的设计思路中,必须考虑系统的紧密性。可能存在泄漏的部位,如输气系统、管道、管接头等需要重点排查,确保反应系统不泄漏是MOCVD设备组装的关键之一。


  MOCVD设备泄漏检测方法:采用真空方式检测泄漏。


  1.通过波纹软管将设备连接至检漏仪ASM  340,并确认连接完成。

  2.启动ASM  340,进入待机界面;初始启动时间约为3分钟,然后启动1分钟。

  3.按下启动按钮,先启动干式真空泵ACP  28通过旁通阀抽空,待检漏仪ASM  340达到一定压力时开始工作,同时在怀疑设备泄漏的地方喷氦气;如果有泄漏,检漏仪会立即报警,表明注射点有泄漏。

  4.检测后,按下检漏仪待机键,放气,关闭电源,拆除连接管道。

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