化学气相淀积（CVD设备）

　　化学气相淀积方法是半导体研究界和产业界中应用广泛的用于制备薄膜材料的常用方法之一，可制备的薄膜材料包括大多数半导体薄膜、介质薄膜、金属及合金薄膜。随着半导体器件性能的提高，对于材料的质量要求也随之提高。

　　对于CVD材料生长设备来说，要获得高质量的材料，首先必须保证作为反应物的气源由源区至反应区的输运及控制过程中的纯度，即保证整个配气气路的气密性。目前，CVD材料生长设备的配气气路一般采用卡套式管接头或VCR接头来实现输气管道、控制元件之间的密封连接。

CVD设备

　　CVD设备工艺供气系统;VCR接头气密性比较好，安装拆卸方便，但价格较贵。为降低实验及生产成本，常采用卡套式管接头实现气路的密封连接。卡套式管接头具有结构简单、重量轻、体积小、使用方便、不用焊接，而且具有良好的耐压性、耐振动性、耐热性及可靠的密封性，价格远低于VCR接头。采用卡套式管接头进行气路连接，成本较低的同时又能保证连接处的气密性，但安装时就必须从整个气路的一端开始逐个安装到另一端，固定一端接头体后插入长度合适的金属管并固定卡套，再安装另一端的卡套及接头体并固定接头体和卡套；需要修理或拆卸时也必须从整个气路的某一端丌始拆卸到需要检修或替换的部件为止。

　　从公司名称即可看出本公司专门从事化学气相沉积设备、涂层制备设备、涂层沉积设备、薄膜沉积设备、粉体镀膜设备相关的业务,主要内容包括：各种常规化学气相沉积以及激光化学气相沉积设备、CVD设备、旋转CVD、MOCVD设备、MOCVD原料(laser CVD)的研发、生产、销售；化学气相沉积法制膜所需要的各种原料（金属有机源）；各类化学气相沉积法制膜产品；各类与化学气相沉积相关技术研发、技术咨询以及技术服务。